onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 153 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 166-2073
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD8444L-F085
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 153 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC bei 5 V | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10,7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 153 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 46 nC bei 5 V | ||
Höhe 2.39mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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