onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A 30 W, 35 W, 5-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
166-2045
Herst. Teile-Nr.:
FDD8424H-F085A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

37 mΩ, 80 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

30 W, 35 W

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V, 17 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm

Ursprungsland:
US

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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