onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 32 A 95 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 178-7569
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD3682-F085
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 178-7569
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD3682-F085
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 32 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 95 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.73mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18,5 nC bei 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 32 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 90 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 95 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.73mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18,5 nC bei 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi UltraFET N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDD2582 TO-252
- onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual 35 W, 5-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N/P-Kanal-Kanal Dual5 A; 9 A 3 5-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi IGBT / 41 A ±10V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 26 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
