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    onsemi UltraFET HUFA76429D3ST-F085 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    RS Best.-Nr.:
    124-1427
    Herst. Teile-Nr.:
    HUFA76429D3ST-F085
    Marke:
    onsemi

    Ursprungsland:
    US
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.20 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    SerieUltraFET
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.23 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3V
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.110 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–16 V, +16 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite6.22mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs38 nC @ 10 V
    Länge6.73mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe2.39mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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