onsemi IGBT / 26,9 A ±10V max., 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal

Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.

• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen

864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK

Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.

AEC-Q101

IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.