onsemi IGBT / 6 A ±25V max., 600 V 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
864-8821P
Herst. Teile-Nr.:
FGD3N60LSDTM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

6 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±25V

Verlustleistung max.

40 W

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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