onsemi IGBT / 6 A ±25V max., 600 V 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 864-8821P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3N60LSDTM
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
1,87 €
(ohne MwSt.)
2,225 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | 0,374 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-8821P
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3N60LSDTM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 6 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±25V | |
| Verlustleistung max. | 40 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 6 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±25V | ||
Verlustleistung max. 40 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 8 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 26 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A ±25V max. 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- onsemi IGBT / 60 A ±25V max. 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- onsemi IGBT / 30 A ±25V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Fairchild IGBT / 23 A ±10V max. 3-Pin DPAK N-Kanal
- onsemi IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi P-Kanal4 A 2 3-Pin DPAK (TO-252)