onsemi IGBT / 26,9 A ±10V max., 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 807-0776
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3440G2-F085
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 807-0776
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3440G2-F085
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 26,9 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 300 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±10V | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 26,9 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 300 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±10V | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
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