onsemi QFET P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 670 mA 2,5 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
671-1056
Herst. Teile-Nr.:
FQT3P20TF
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

670 mA

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Serie

QFET

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 10 V

Länge

6.5mm

Breite

3.56mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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