onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 2 W, 4-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
FQT5P10TF
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

QFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

-4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Breite

3.56 mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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