ROHM RD3H080SP P-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 8 A 15 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
172-0386
Herst. Teile-Nr.:
RD3H080SPTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

45 V

Serie

RD3H080SP

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

147 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

15 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.4mm

Länge

6.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9 nC @ 5 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.3mm

Der RD3H080SP ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

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