Teile-Nr.

Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 772-5245P
Herst. Teile-Nr.:: 2SJ553L-E
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 772-5245P
Herst. Teile-Nr.:: 2SJ553L-E
Marke:: Renesas Electronics

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Renesas Electronics
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	120 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	55 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2V
	Verlustleistung max.	75 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Länge	10.2mm
	Breite	4.44mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Höhe	10mm

	Alle auswählen
	Marke Renesas Electronics
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 120 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße DPAK (TO-252)
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 55 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2V
	Verlustleistung max. 75 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Länge 10.2mm
	Breite 4.44mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Höhe 10mm

P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)

MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)