Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
772-5380P
Herst. Teile-Nr.:
2SK3147L-E
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

170 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Verlustleistung max.

20 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

2.3mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

7.2mm

N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics



MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)

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