Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,2 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 826-9064
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,686 € | 34,30 € |
| 250 - 950 | 0,448 € | 22,40 € |
| 1000 - 2450 | 0,35 € | 17,50 € |
| 2500 + | 0,294 € | 14,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9064
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,05 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 38 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Serie SIPMOS® | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,05 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 38 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12 nC @ 10 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 2.41mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs
Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.
· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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