Infineon SIPMOS® SPD04P10PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,2 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 826-9064
Herst. Teile-Nr.:: SPD04P10PLGBTMA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS® SPD04P10PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,2 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 50)

0,686 €

(ohne MwSt.)

0,816 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
50 - 200	0,686 €	34,30 €
250 - 950	0,448 €	22,40 €
1000 - 2450	0,35 €	17,50 €
2500 +	0,294 €	14,70 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 826-9064
Herst. Teile-Nr.:: SPD04P10PLGBTMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Ausgenommen

Produktdetails

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs

Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS^® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,2 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	SIPMOS®
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,05 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	38 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.22mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	6.73mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 10 V
Höhe	2.41mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C