Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,2 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 826-9064
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,686 € | 34,30 € |
| 250 - 950 | 0,448 € | 22,40 € |
| 1000 - 2450 | 0,35 € | 17,50 € |
| 2500 + | 0,294 € | 14,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9064
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,05 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 38 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.73mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie SIPMOS® | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,05 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 38 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.73mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 2.41mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
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