Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,2 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

4,2 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

SIPMOS®

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,05 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

38 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.22mm

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C