Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 15 A 128 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
914-0191
Herst. Teile-Nr.:
SPP15P10PHXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

15 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

SIPMOS®

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

240 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

128 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

37 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.95mm

Diodendurchschlagsspannung

1.35V

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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