Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 15 A 128 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
914-0191
Herst. Teile-Nr.:
SPP15P10PHXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

15 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

SIPMOS®

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

240 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

128 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

37 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.57mm

Diodendurchschlagsspannung

1.35V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

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