Infineon SIPMOS® P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 15 A 128 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 914-0191
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP15P10PHXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,245 € | 12,45 € |
| 100 - 490 | 0,707 € | 7,07 € |
| 500 - 990 | 0,689 € | 6,89 € |
| 1000 - 2490 | 0,672 € | 6,72 € |
| 2500 + | 0,656 € | 6,56 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 914-0191
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP15P10PHXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 128 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.36mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.57mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.35V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie SIPMOS® | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 128 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 37 nC @ 10 V | ||
Länge 10.36mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.57mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.35V | ||
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