Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 280 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9434
Herst. Teile-Nr.:
BSP129H6906XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

280 mA

Drain-Source-Spannung max.

240 V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS®

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6 Ω

Channel-Modus

Depletion

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

1,8 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,8 nC @ 5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.5mm

Breite

3.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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