Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 11.3 A 128 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
823-5560
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-485
Herst. Teile-Nr.:
SPP15P10PLHXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

128W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Durchlassspannung Vf

-0.96V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.57 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

15.95mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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