Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 911-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- SPB80P06PGATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
1.693,00 €
(ohne MwSt.)
2.015,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,693 € | 1.693,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 911-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- SPB80P06PGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 115nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 115nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs
Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.
· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SPB80P06PGATMA1 TO-263
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SPP80P06PHXKSA1 TO-220
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P405ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P4L06ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P4L08ATMA2 TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A IPB80P04P407ATMA2 TO-263