Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 11.3 A 128 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-6694
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 270mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.96V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 128W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 270mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.96V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 128W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs
Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.
· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)
· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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