Infineon OptiMOS P P-Kanal, THT MOSFET 30 V / 80 A 137 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
823-5554
Herst. Teile-Nr.:
IPP80P03P4L04AKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS P

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

137 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

125 nC @ 10 V

Länge

10mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC

Höhe

15.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
MY

Infineon OptiMOS MOSFET der Serie P, 80 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 137 W maximale Verlustleistung - IPP80P03P4L04AKSA1


Dieser P-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen in elektronischen Schaltungen konzipiert und spielt eine entscheidende Rolle bei der Leistungsverwaltung und -steuerung, insbesondere im Automobilsektor. Er ist für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen konzipiert, arbeitet effizient über einen großen Temperaturbereich und erfüllt die AEC-Qualifikationsstandards, was ihn für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet macht.

Eigenschaften und Vorteile


• P-Kanal-Konfiguration erhöht die Designflexibilität
• Kontinuierliche Stromaufnahmefähigkeit von bis zu 80 A
• Robuste thermische Leistung mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C
• Niedriger RDS(on) von 7mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Hohe Verlustleistung von 137 W ermöglicht effektives Wärmemanagement
• Lawinengeprüft auf Zuverlässigkeit unter dynamischen Bedingungen

Anwendungsbereich


• Verpolungsschutz in Kfz-Systemen
• Hochleistungstreiberschaltungen
• Automatisierte Kontrollsysteme, die eine zuverlässige Leistung erfordern
• Lösungen für das Energiemanagement in elektronischen Geräten

Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Gerät?


Das Gerät kann bei Temperaturen von bis zu +175°C arbeiten und eignet sich daher für schwierige Anwendungen.

Wie kann sie in Automobilsystemen eingesetzt werden?


Seine Qualifizierung für den Einsatz in der Automobilindustrie gewährleistet eine lange Lebensdauer unter rauen Bedingungen und macht ihn ideal für Anwendungen wie den Schutz von Rückwärtsbatterien und das Energiemanagement.

Was sind die Grenzen der Gate-Source-Spannung?


Die zulässige Gate-Source-Spannung reicht von -16V bis +5V und bietet somit Flexibilität bei der Schaltungsentwicklung.

Welche Maßnahmen gibt es für das Wärmemanagement?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 137 W und starken thermischen Eigenschaften sorgt er für ein effektives Wärmemanagement in anspruchsvollen Anwendungen.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links