Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 100 A 214 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
857-6833
Herst. Teile-Nr.:
IPP034NE7N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.8V

Gate-Schwellenspannung min.

2.3V

Verlustleistung max.

214 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

88 nC bei 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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