onsemi FQD7P20TM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5.7 A 2.5 W, 3-Pin FQD7P20TM TO-252

RS Best.-Nr.:: 671-1034
Herst. Teile-Nr.:: FQD7P20TM
Marke:: onsemi

onsemi FQD7P20TM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5.7 A 2.5 W, 3-Pin FQD7P20TM TO-252

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100 - 495	0,77 €	3,85 €
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RS Best.-Nr.:: 671-1034
Herst. Teile-Nr.:: FQD7P20TM
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Serie	FQD7P20TM
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	690mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19nC
	Durchlassspannung Vf	-5V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.1 mm
	Höhe	2.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Serie FQD7P20TM
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 690mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC
	Durchlassspannung Vf -5V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.1 mm
	Höhe 2.3mm
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.