onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 1.33 A 50 W, 3-Pin FQD3P50TM TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 808-9010
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD3P50TM
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
11,88 €
(ohne MwSt.)
14,14 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
- Zusätzlich 6.400 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,188 € | 11,88 € |
| 100 - 240 | 1,024 € | 10,24 € |
| 250 - 490 | 0,888 € | 8,88 € |
| 500 - 990 | 0,78 € | 7,80 € |
| 1000 + | 0,71 € | 7,10 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 808-9010
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD3P50TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Distrelec Product Id | 304-45-656 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Distrelec Product Id 304-45-656 | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin FQP3P50 JEDEC
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin FQD17P06TM TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin FQD11P06TM TO-252
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin FQD8P10TM TO-252
