onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 1.33 A 50 W, 3-Pin FQD3P50TM TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

11,88 €

(ohne MwSt.)

14,14 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
  • Zusätzlich 6.400 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,188 €11,88 €
100 - 2401,024 €10,24 €
250 - 4900,888 €8,88 €
500 - 9900,78 €7,80 €
1000 +0,71 €7,10 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
808-9010
Herst. Teile-Nr.:
FQD3P50TM
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

-5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Distrelec Product Id

304-45-656

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links