onsemi Einfach QFET Typ P, Typ P-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 200 V Erweiterung / 3.4 A 38 W,
- RS Best.-Nr.:
- 145-4635
- Herst. Teile-Nr.:
- FQPF5P20
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- 145-4635
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- FQPF5P20
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Serie QFET | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.07mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.