onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.4 A 38 W, 3-Pin FQPF5P20 TO-220F

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

10,62 €

(ohne MwSt.)

12,64 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,062 €10,62 €
100 - 2400,797 €7,97 €
250 - 4900,79 €7,90 €
500 - 9900,674 €6,74 €
1000 +0,55 €5,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
862-8772
Herst. Teile-Nr.:
FQPF5P20
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220F

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

5V

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9 mm

Höhe

16.07mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links