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    onsemi QFET FQPF10N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F

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    RS Best.-Nr.:
    671-5200
    Herst. Teile-Nr.:
    FQPF10N20C
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.9,5 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeTO-220F
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.360 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.38 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Breite4.7mm
    Länge10.16mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs20 nC @ 10 V
    Höhe9.19mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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