onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7 A 52 W, 3-Pin TO-220F

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RS Best.-Nr.:
671-5301
Herst. Teile-Nr.:
FQPF7N65C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

52 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.16mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

9.19mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
MY

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