onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7 A 52 W, 3-Pin TO-220F

Alle MOSFET anzeigen
Bestandsabfrage leider nicht möglich
RS Best.-Nr.:
671-5301
Herst. Teile-Nr.:
FQPF7N65C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220F

Serie

QFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

52 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.16mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.19mm

Ursprungsland:
MY

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.