onsemi QFET P-Kanal, THT MOSFET 250 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220F

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RS Best.-Nr.:
145-5453
Herst. Teile-Nr.:
FQPF9P25
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

3,9 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

620 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.9mm

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

29 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

16.07mm

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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