onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 2.5 W, 3-Pin FQD17P06TM TO-252

RS Best.-Nr.:: 671-0968
Herst. Teile-Nr.:: FQD17P06TM
Marke:: onsemi

onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 2.5 W, 3-Pin FQD17P06TM TO-252

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RS Best.-Nr.:: 671-0968
Herst. Teile-Nr.:: FQD17P06TM
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	QFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	135mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Durchlassspannung Vf	-4V
	Gate-Source-spannung max Vgs	25 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.22 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.39mm
	Distrelec Product Id	304-43-729
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie QFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 135mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Durchlassspannung Vf -4V
	Gate-Source-spannung max Vgs 25 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.22 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.39mm
	Distrelec Product Id 304-43-729
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.