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    onsemi QFET FQD1N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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    RS Best.-Nr.:
    146-2066
    Herst. Teile-Nr.:
    FQD1N80TM
    Marke:
    onsemi

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.1 A
    Drain-Source-Spannung max.800 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.20 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.2,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Länge6.6mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite6.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs5,5 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Höhe2.3mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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