onsemi Einfach UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V Erweiterung / 4.5 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 806-3560
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP5N50NZ
- Marke:
- onsemi
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- FDP5N50NZ
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | UniFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25/25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie UniFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25/25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 16.3mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
UniFETTM N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFETTM MOSFET ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Er verfügt über den kleinsten Widerstand im eingeschalteten Zustand unter den Planar-MOSFETs und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energiefestigkeit. Darüber hinaus ermöglicht die interne Gate-Source-ESD-Diode dem UniFET-IITM-MOSFET, Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standzuhalten.
UniFETTM-MOSFETs eignen sich für Schaltleistungswandleranwendungen, wie z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD), TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und elektronische Lampenförderer.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.