Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8658
Herst. Teile-Nr.:
IPP057N08N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.57 mm

Höhe

15.95mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

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Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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