Infineon HEXFET IRFS4615TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 145-8839
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS4615TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

0,846 €

(ohne MwSt.)

1,007 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	0,846 €	676,80 €
1600 +	0,803 €	642,40 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 145-8839
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4615TRLPBF
Marke:: Infineon

IRFS4615TRLPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	42 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	144 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.65mm
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	26 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET IRFS4615TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 33 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Verwandte Produkte