Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.932,00 €

(ohne MwSt.)

2.298,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 23. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,644 €1.932,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5546
Herst. Teile-Nr.:
IRFR4615TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

144W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Industriestandard-Footprints zur Vereinfachung des Designs erhältlich.

Planare Zellstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage

Verwandte Links