Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-5546
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W TO-252

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RS Best.-Nr.:: 257-5546
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	33A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	42mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	144W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Leiterplattenmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 144W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 33 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR4615TRLPBF

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für die Leiterplattenmontage in Leistungsschaltfunktionen entwickelt wurde. Er verarbeitet erheblichen Gleichstrom bei Betrieb in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und eignet sich für Bereiche, in denen eine kontrollierte Gate-Ansteuerung und ein thermisches Management erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Rds(on) von 42 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 150 V Vds ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 33 A Dauerstrom unterstützt schwere Lasten
• Die Verlustleistung von 144 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb
• 26 nC Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler
• Ideal für die Leistungsschaltung in Wechselrichtern
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Strommanagementmodule

Welche Gate-Treiber-Grenzwerte müssen beachtet werden?

Die Gate-to-Source-Bewertung beträgt ±20 V, sodass die Gate-Antriebsamplituden innerhalb dieses Bereichs bleiben müssen, um Schäden zu vermeiden.

Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Montageentscheidungen aus?

Mit einer Verlustleistung von 144 W sind effektive Leiterplatten-Kupferflächen oder Kühlkörper erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen bei Dauerbelastung zu bewältigen.

Welche extremen Temperaturen kann das Gerät tolerieren?

Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.

Ist diese Komponente für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?

Es ist nicht als Automotive-Güte angegeben

Die Konformität ist nur RoHS-konform.