Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W IRFR6215TRPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9414
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR6215TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9414
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR6215TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 580mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 580mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFR-Serie von Infineon ist ein -150-V-Einzel-P-Kanal-IR-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
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