Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 56 A 110 W IRFR2405TRLPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3984
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2405TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
4,64 €
(ohne MwSt.)
5,52 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.960 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,928 € | 4,64 € |
| 50 - 120 | 0,852 € | 4,26 € |
| 125 - 245 | 0,796 € | 3,98 € |
| 250 - 495 | 0,74 € | 3,70 € |
| 500 + | 0,686 € | 3,43 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3984
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR2405TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon R MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Erhöhte Robustheit
Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 56 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFR2405TRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin AUIRFR5305TRL TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252