Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 56 A 110 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3983
Herst. Teile-Nr.:
IRFR2405TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

56A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon R MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

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