Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3097
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6215STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
654,40 €
(ohne MwSt.)
778,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,818 € | 654,40 € |
| 1600 + | 0,777 € | 621,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3097
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6215STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 290mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Infineon IRF-Serie mit einem P-Kanal. Dieser MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist für Hochstromanwendungen geeignet.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
P-Kanal
Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252
- Infineon AUIRF Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 160 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263