Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
218-3097
Herst. Teile-Nr.:
IRF6215STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon IRF-Serie mit einem P-Kanal. Dieser MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist für Hochstromanwendungen geeignet.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

P-Kanal

Betriebstemperatur von 175 °C

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