Infineon OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-9320
Herst. Teile-Nr.:: IPP041N12N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 145-9320
Herst. Teile-Nr.:: IPP041N12N3GXKSA1
Marke:: Infineon

IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G, IPB038N12N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.57mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	158 nC
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	15.95mm

Infineon OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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