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    Infineon OptiMOS™ 3 IPP032N06N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin TO-220

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    1,531 €

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    1,822 €

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    50 - 501,531 €76,55 €
    100 - 2001,271 €63,55 €
    250 - 4501,179 €58,95 €
    500 - 9501,102 €55,10 €
    1000 +1,026 €51,30 €

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    RS Best.-Nr.:
    145-8902
    Herst. Teile-Nr.:
    IPP032N06N3GXKSA1
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.120 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    SerieOptiMOS™ 3
    GehäusegrößeTO-220
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.3,2 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.188 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite4.57mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs124 nC bei 10 V
    Länge10.36mm
    Höhe15.95mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.2V

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