Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
914-0185
Herst. Teile-Nr.:
IPB029N06N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

124nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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