Infineon OptiMOS™-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 214-9022
Herst. Teile-Nr.:: IPB50N12S3L15ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

2,114 €

(ohne MwSt.)

2,516 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	2,114 €	21,14 €
50 - 90	2,007 €	20,07 €
100 - 240	1,805 €	18,05 €
250 - 490	1,626 €	16,26 €
500 +	1,545 €	15,45 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 214-9022
Herst. Teile-Nr.:: IPB50N12S3L15ATMA1
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Datasheet - IPB50N12S3L15ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Das Produkt ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Serie	OptiMOS™-T
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0154 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon OptiMOS™-T IPB50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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