Infineon HEXFET IRFS3806TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 145-9494
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3806TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFS3806TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)

0,536 €

(ohne MwSt.)

0,638 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
800 - 800	0,536 €	428,80 €
1600 - 1600	0,509 €	407,20 €
2400 +	0,479 €	383,20 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 145-9494
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3806TRLPBF
Marke:: Infineon

IRFS3806PBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	43 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	71 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Breite	9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET IRFS3806TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

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