Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 145-9698
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4110GPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
145,20 €
(ohne MwSt.)
172,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,904 € | 145,20 € |
| 100 - 200 | 2,759 € | 137,95 € |
| 250 + | 2,585 € | 129,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-9698
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4110GPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB4110GPBF JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRLB8748PBF JEDEC TO-220AB
- Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 3-Pin JEDEC TO-220AB AUIRL3705Z
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB3006PBF JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRLZ24NPBF JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB4610PBF JEDEC TO-220AB