IXYS Einfach Linear N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 1 kV Erweiterung / 22 A 700 W, 3-Pin TO-264

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RS Best.-Nr.:
146-1713
Herst. Teile-Nr.:
IXTK22N100L
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

Linear

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1 kV

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

22 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

700 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-264

Höhe

26.16 mm

Länge

19.96 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

600 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V, -30 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Breite

5.13 mm

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series


N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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