IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 66 A 1,25 kW, 3-Pin TO-264

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RS Best.-Nr.:
146-4244
Herst. Teile-Nr.:
IXFK66N85X
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

66 A

Drain-Source-Spannung max.

850 V

Serie

HiperFET

Gehäusegröße

TO-264

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

65 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

1,25 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

230 nC bei 10 V

Länge

20.3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

26.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.

Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg

Fast-Body-Diode

dv/dt Robustheit

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach internationaler Norm

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