IXYS HiperFET IXFK66N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 66 A 1,25 kW, 3-Pin TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 146-4244
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK66N85X
- Marke:
- IXYS
Voraussichtlich ab 08.07.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 25)
23,384 €
(ohne MwSt.)
27,827 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 23,384 € | 584,60 € |
| 100 - 225 | 20,999 € | 524,975 € |
| 250 - 475 | 19,76 € | 494,00 € |
| 500 + | 19,268 € | 481,70 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 146-4244
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK66N85X
- Marke:
- IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.
Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 66 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 850 V |
| Serie | HiperFET |
| Gehäusegröße | TO-264 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 1,25 kW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 20.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 5.3mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V |
| Höhe | 26.3mm |
Verwandte Produkte
- IXYS HiperFET IXFK66N85X N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 66 A 1,25 kW,...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK32N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V /...
- IXYS HiperFET, Polar3 IXFK78N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 78 A...
- IXYS HiperFET, Polar IXFK26N120P N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A...
- IXYS HiperFET, Polar3 IXFK64N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 64 A...
- IXYS HiperFET, Polar3 IXFK120N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120...
- IXYS HiperFET, Polar3 IXFK98N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 98 A...
- IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK64N50Q3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64...