IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 66 A 1.25 kW, 3-Pin IXFK66N85X TO-264

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RS Best.-Nr.:
146-4374
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-353
Herst. Teile-Nr.:
IXFK66N85X
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-264

Serie

HiperFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

230nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25kW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

20.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

26.3mm

Breite

5.3 mm

Distrelec Product Id

30253353

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.

Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg

Fast-Body-Diode

dv/dt Robustheit

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach internationaler Norm

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