IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A 780 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 146-1777
Herst. Teile-Nr.:: IXTH62N65X2
Marke:: IXYS

IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A 780 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 146-1777
Herst. Teile-Nr.:: IXTH62N65X2
Marke:: IXYS

N-ch X2-Class Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	62 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	X2-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	50 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
Verlustleistung max.	780 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	100 nC @ 10 V
Breite	21.34mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	5.21mm

IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 62 A 780 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS

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