IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin IXFH60N65X2 TO-247

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RS Best.-Nr.:
146-4234
Herst. Teile-Nr.:
IXFH60N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Maximale Verlustleistung Pd

780W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.34mm

Breite

5.21 mm

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Niedriger R- und Q-Wert

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Vorteile

Hohe Leistungsdichte

Einfache Montage

Platzsparend

Anwendungsbereich

Schalt- und Resonanznetzteile

DC/DC-Wandler

PFC-Stromkreise

Gleich- und Wechselstrom-Motorantriebe

Robotik und Servosteuerung

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