IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin IXFH80N65X2 TO-247

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RS Best.-Nr.:
146-4236
Herst. Teile-Nr.:
IXFH80N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

38mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

890W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.34mm

Länge

16.13mm

Breite

5.21 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-30-535

Niedriger RDS(ON) und Qg

Fast-Body-Diode

dv/dt Robustheit

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Gehäuseinduktivität

Gehäuse nach internationaler Norm

Resonanznetzteile

Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)

AC- und DC-Motorantriebe

DC/DC-Konverter

Robotik und Servosteuerung

Akkuladegeräte

3-stufige Solarwechselrichter

LED-Beleuchtung

Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)

Höhere Effizienz

Hohe Leistungsdichte

Einfache Montage

Platzersparnis

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