IXYS HiperFET IXFK120N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin UM-264P

Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse

Niedriger RDS(ON) und Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Resonanznetzteile
Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)
AC- und DC-Motorantriebe
DC/DC-Konverter
Robotik und Servosteuerung
Akkuladegeräte
3-stufige Solarwechselrichter
LED-Beleuchtung
Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)
Höhere Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Einfache Montage
Platzersparnis

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS